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    IGBT的Z大威脅碳化硅

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    IGBT的Z大威脅碳化硅

    發布日期:2018-12-13 作者: 點擊:

    功率器件Z終往往是拼工藝,IGBT散熱器的Z大威脅碳化硅器件一直統治著高壓功率應用市場。近些年出現了一種新工藝碳化硅(SiC),碳化硅的絕緣破壞電場強度是傳統硅器件的9倍多,因此使用碳化硅工藝生產的功率器件導通電阻更低,芯片尺寸更小。防爆熱管散熱器,此外相比普通硅功率器件,碳化硅器件的工作頻率更高,也能夠耐受更高的環境溫度。因此在高壓功率市場,碳化硅器件簡直是IGBT的完美替代者,但是為何到目前為止,IGBT仍然占據主流應用呢?


    答案就是成本。據ROHM半導體(深圳)有限公司分立器件部水原德健介紹,目前同一規格的產品,碳化硅器件的價格是原有硅器件的5~6倍。這么高的價格自然阻礙了碳化硅功率器件的應用推廣,用戶只有在對性能與可靠性要求極為嚴苛時,才會考慮使用碳化硅產品。2014年全球硅功率器件市場規模大約為100億美元左右,但是碳化硅功率器件市場則僅有1.2億美元。

    那么為何碳化硅功率器件的成本這么高呢?Z主要的原因與碳化硅這種材料的特性有關。水原德健表示,因為碳化硅材料較傳統硅材料硬度高很多,因此在生成晶體的時候就容易出現缺陷,此外過硬也會導致生成晶體的速度變得很慢,晶圓的尺寸也做不大,現在只能做到6英寸。合格率低與生產速度慢,無怪乎碳化硅的價格這么高。

    散熱器清洗

    碳化硅(SiC)工藝雖然有諸多優點,但高昂的成本仍然是其推廣的Z大障礙


    現在碳化硅工藝發展面臨Z大的問題就是如何解決由于材料過硬導致的高昂成本。不過對于Z終能否解決材料問題,水原德健倒是信心滿滿,他表示雖然現在還沒有具體的技術手段可以立竿見影的降低成本,但是只要一點一點去摸索,總是能夠逐漸降低成本的。他舉例說70年代硅材料也只能做到3英寸和4英寸,隨著技術的不斷發展,缺陷越來越少,尺寸也做得越來越大。將來碳化硅的成本一定可以降下來。


    碳化硅現在的價格比5年前已經降低了一半左右,但是水原德健認為,以現在的生產技術來看,碳化硅器件的價格再降低一半花費的時間要超過5年,當然如果有全新的技術出現,也許價格會降得快一些。


    本文網址:http://www.hnhjbaby.com/news/386.html

    關鍵詞:片式散熱器,散熱器片頭,散熱器清洗

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